DRAM
海力士:董事会已批准公司今年6月公布的投资计划。
时间:2026-08-07 16:06:54 市场: 美股 综合
广发证券(香港)今日发布研报称,在健康资产负债表的支撑下,预测前五大美国云服务商(CSP)的资本开支在2027/2028/2029年将分别达到1.19万亿美元、1.428万亿美元和1.642万亿美元,同比增长45%、20%和15%,但这也意味着相比2027年45%的增速,2028年和2029年的增速会有所放缓。 该行还称,英伟达等平台正在削减内存成本并下调规格。例如,Rubin Ultra的HBM规格从12层堆叠下调至8层堆叠,Meta和谷歌的定制芯片也转向8层。 该行表示,对AI趋势保持高度乐观,并看好GPU/CPU/光模块(Optic)赛道。另一方面,对存储芯片持保守/谨慎态度。
时间:2026-08-06 17:35:01 市场: 综合
【三星、SK海力士暴跌是错杀?高盛:HBM明年最高预计涨1倍】 三星电子与SK海力士近一个月股价分别重挫23%、35%,市场担忧HBM涨价动能消退、NAND供过于求,以及竞争对手加速扩产;然而,高盛认为,相关利空遭到过度放大,目前内存库存仍低、供给持续吃紧,长约条款与股东回报也有利供应商,因此重申两家公司“买进”评级。三星电子和SK海力士股价在过去一个月内分别下跌23%和35%,使两家公司的2027年预期市盈率均跌至约3.5至3.6倍、市净率仅为1.4至1.6倍。但从HBM供需、长期供货协议、产业库存、NAND需求及竞争来看,基本面并未恶化至足以支撑如此悲观的估值。高盛预估,三星与SK海力士2027年HBM综合平均售价将分别同比上涨约87%及100%,双双逼近每GB 2.9美元,其中SK海力士预测值更比市场共识高出约24%。背后关键仍是供不应求,尤其是随着制程升级、堆叠层数增加及良率提升难度加大,HBM扩产速度有限,明年供需缺口可能比今年更加严重。
时间:2026-08-05 15:49:38 市场: 综合 美股
【存储芯片板块震荡拉升,正帆科技涨停】 存储芯片板块震荡拉升,正帆科技涨停,此前中京电子、时空科技等股涨停,中巨芯-U、中微公司涨幅居前、
时间:2026-08-05 10:43:00 市场: 综合
美东时间8月4日,三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会(FMS)上推出其V10 Bonding V-NAND,即BV-NAND原型产品。该芯片拥有超过400层结构,并采用全新的晶圆键合架构,以提高存储密度并增强性能。三星表示,其BV-NAND技术较上一代V9 NAND将存储密度提高约58%,同时提升读取、写入以及输入/输出性能,以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元,在更小空间内存储更多数据。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式,三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上,以缩短数据传输距离,提高带宽,同时提升能源效率。三星表示,其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度,同时将能源效率提高3倍,并将热阻降低一半以上。
时间:2026-08-05 04:23:48 市场: 综合
据DIGITIMES援引业界人士透露,三星电子、美光及SK海力士的DRAM与高带宽存储器(HBM)2027年产能已全数分配完毕,涵盖长期协议大客户及中小型买家。与此同时,三星电子、美光、闪迪的NAND Flash全年产能亦已预售一空,铠侠与SK海力士预计最晚于2026年8月底前完成分配。
时间:2026-08-04 09:11:15 市场: 美股 综合
据台湾电子时报,业界人士指出,近期原厂已完成2027全年产能分配谈判,三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧,但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约,买家均配合原厂的提前预付订金模式,这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法,但后续价格涨幅有望趋缓。
时间:2026-08-04 08:57:56 市场: 综合
BlockBeats 消息8 月 4 日据 DigiTimes 报道2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。产业链消息人士称部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应因为担心更多厂商加入产能争夺后自身能够获得的配额进一步减少。目前存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。受此影响智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称在产能几乎全部售罄的情况下尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的“想买也买不到”局面。报道还称高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
时间:2026-08-04 07:59:45 市场: 综合
【十铨:DRAM缺货最严峻时刻预计在2027年上半年】 存储模组厂十铨科技第二季营收75.88亿新台币,环比减少16.11%,同比增66.18%,税后净利润24.12亿新台币,环比增长5.14%,同比增长21827%。十铨表示,全球AI基础建设建置带动大量存储需求,主要DRAM原厂积极扩充产能,但短期仍难有效缓解供需失衡,缺货最严峻的时期预期将落在2027年上半年。
时间:2026-08-03 19:41:40 市场: 综合
7月底全球“最火”内存ETF——Roundhill Memory ETF(DRAM)进行了调仓再度纳入A股公司长鑫科技权重为2.52%为该ETF的第8大重仓股兆易创新降至为该ETF的第10大重仓股权重为1.51%(兆易创新6月首次被纳入当时权重为2.91%) 。目前DRAM前十大持仓包括三星电子、美光科技、SK海力士、希捷科技、西部数据、闪迪、希捷科技、铠侠控股、长鑫科技、南亚科技、兆易创新等全球芯片龙头。
时间:2026-08-03 10:37:24 市场: 综合
同步财经

