DRAM

美股周一收盘，道指初步收跌0.07%，标普500指数涨0.4%，纳指涨1.1%。SK海力士(SKHY.O)涨4.6%，美光科技(MU.O)涨近3%，特斯拉(TSLA.O)涨3.7%，亚马逊(AMZN.O)涨近5%。纳斯达克中国金龙指数收跌0.26%，爱奇艺(IQ.O)跌超2%。

时间：2026-10-20 04:01:51 市场： 美股

关联： SKHY 07709 EMXC DRAM RAM

【PS6售价或破万美元，PS6内存成本已近700美元】 硬件领域消息人士透露，索尼计划推出的下一代主机PS6，仅随机存取存储器与NAND闪存两项的物料成本就已突破六百八十美元，此数字尚未涵盖加速处理单元、散热模块、电源系统及其他关键硬件组件。若上游元器件价格维持高位运行，PS6的最终零售价或将显著高于PS5 Pro，甚至可能达到或超过一万美元。 该消息人士对PS6整机物料成本的预估亦持续上修，由三月公布的约七百六十美元升至七月的约九百六十美元。 据现有线索显示，PS6拟采用带宽为一百六十位的GDDR7显存，理论最大容量可达四十GB，而三十GB则被普遍视为更贴近量产实际的主流配置。另有信息指出，索尼内部曾探讨缩减内存容量的可行性，以缓解整机成本压力。

时间：2026-10-18 11:20:56 市场： 综合

关联： DRAM UUP UDN RAM RAMZ

【瑞银：预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%】 瑞银预测，HBM4 架构将成为主流内存标准，预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%，高于 2026 年预估的 17%。随着新一代 AI 加速器陆续落地，HBM3E 12‑Hi 的市场占比将从 2026 年预期的 65% 收缩至 2027 年的 30%。本轮技术迭代带动先进封装、定制化逻辑基片进入量产，推升晶圆厂的实际成交价格。瑞银测算，HBM3E 8‑Hi 的需求占比将从 2026 年的 8% 回升至 2027 年的 17%；新一代 HBM4E 将拿到 9% 份额，老款 HBM3 则萎缩至 5%。英伟达 VR300 加速器采用 8‑Hi 堆叠方案，体现行业选择性降低显存堆叠规格的现象。主要执行风险来自晶圆厂的基片制造与基板良率；一旦出现产能瓶颈，会阻滞 HBM4 的落地进程，同时造成旧款 HBM3E 产能过剩。

时间：2026-10-18 09:03:17 市场： 综合

关联： DRAM MULL HBMX DRMY DISK

【中信证券：建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会】 中信证券研报称，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，除了宏观因素的扰动外，产业界对于长鑫科技4F²技术的进展亦变得更为关注。主要原因是市场担心：中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑会被动摇。从产业进展来看，目前DRAM的技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术的落地需看三星电子和长鑫科技的进展。目前来看，4F²技术仍处于早期验证阶段，后续仍需观察公司在这领域的良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等各个指标，对于中短期存储产业的影响相对较小。建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。

时间：2026-10-16 08:10:25 市场： 综合

关联： MUD DRMY DISK DRMP DRAM

根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度，长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。在四个季度内（2025年第一季度至2026年第一季度），长江存储的全球NAND营收份额增长超过五成（从9%升至14%），其营收同比增幅最高达478%。

时间：2026-10-15 11:51:04 市场： 综合

关联： DRMY MUD MULL DRAM DRMP

三星、SK 海力士在 Nextrade 盘前交易中跌幅均超 6%。

时间：2026-10-15 07:02:05 市场： 美股 综合

关联： SKHY EMXC DRAM SKHA SKHX

海力士股价跌幅扩大至10.3%。

时间：2026-10-13 12:28:15 市场： 美股 综合

关联： SKHY DRAM EMXC SKHZ SKHN

韩国半导体产业协会宣布，将于14日至16日在首尔江南COEX会展中心举办为期三天的2026年韩国半导体展览会（SEDEX 2026），包括三星电子和SK海力士在内的300家公司将参展，共设立888个展位。三星电子将展示适用于云计算、边缘计算和物理人工智能领域的下一代存储结构和产品。这些产品包括高带宽内存（HBM）、移动图像传感器、移动处理器、用于汽车的高可靠性半导体、半导体代工解决方案和3D存储结构。SK海力士还将发布下一代内存技术，包括第七代HBM（HBM4E）和高带宽闪存（HBF）。

时间：2026-10-13 08:20:46 市场： 美股 综合

关联： RAM SKHY DRAM EDZ SSNLF

【存储芯片红利消退 千亿美元外资加速撤离韩股】 韩国今年很长一段时间都是全球火热人工智能交易行情的标杆。而如今，无论从哪项指标来看，这个总规模4.3万亿美元的股票市场正在快速失去投资者的关注。 市场成交额较5月末峰值暴跌70%，外资正以亚洲最快速度撤离，本土散户投资者也在退出。韩国综合股价指数上半年曾是全球表现最好的主要股指，此后累计下跌22%，成为下半年表现最差的主要股指；而同样重仓AI板块的美国股市股指则不断创新高。 行情反转背后，韩国股市的AI红利高度依赖三星电子与SK海力士这两大存储芯片巨头，二者处于全球AI供应链的核心位置。这种高度集中的特性如今成为短板：投资者开始质疑存储芯片繁荣周期能否持续，叠加今夏由高杠杆引发的剧烈抛售，不少全球基金对重返韩国市场持谨慎态度。 这两家芯片企业合计占韩国综合股价指数权重一半以上，是今年早些时候拉动指数上涨的主力。交易所数据显示，今年外资从韩国股市撤出1310亿美元，在亚洲主要市场中规模最高。

时间：2026-10-11 08:07:03 市场： 综合

关联： KORU FTXL MUD DRAM FLKR

【长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相】 记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

时间：2026-10-10 19:04:58 市场： 综合

关联： DRAM MUD DRMY DISK MIC