DRAM
三星电子：预计第二季度DRAM出货量将比第一季度增长10%出头。
时间：2025-04-30 09:58:32 市场： 美股 综合
SK海力士预计二季度DRAM销售额将同比增速为个位数，预计二季度NAND销售额将同比增长超过20%。
时间：2025-04-24 06:51:11 市场： 美股 综合
【机构：存储供应商对DRAM提价8-10%】 金十数据4月23日讯，根据集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，在DRAM方面，OEM厂商正在逐步增加库存水平，以确保在关税政策明朗之前拥有安全的库存量，而DRAM供应商也同步上调了DRAM产品的现货价格，幅度在8-10%之间。至于NANDFlash方面，由于需求放缓，目前市场主流产品价格持平。
时间：2025-04-23 13:43:55 市场： 美股 综合
【集邦咨询：国际形势变化带动拉货潮 预估第二季存储器合约价涨幅将扩大】 金十数据4月17日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期国际形势变化已切实改变了存储器供需方操作策略。基于对未来国际形势走向不明的担忧，采购端普遍秉持“降低不确定因素、建立安全库存”的策略，积极提高DRAM和NAND Flash的库存水位。TrendForce集邦咨询表示，受到积极备货潮带动，第二季的DRAM和NAND Flash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。然而，这波涨势的动能可能仅限于第二季，主要来自美系品牌和有出口需求的厂商，而后续国际形势的走向，将成为下半年存储器市场供需与价格变化的最重要观察指标。
时间：2025-04-17 14:57:20 市场： 美股 综合
【存储峰会：服务器内存消耗已经超过手机 大容量存储供不应求】 金十数据3月13日讯，在日前MemoryS 2025存储峰会上，闪存市场总经理邰炜指出，人工智能让存储变得更为的基础、更为的关键，大容量存储需求旺盛，去年已经出现供不应求局面。预计今年AI手机渗透率将提升至30%，AI PC落地更加快速，存储将在智能汽车中发挥重要作用。据统计，HBM在DRAM产业占比已经将近30%，而去年服务器内存消耗已经超过手机，预计今年还会继续增长。
时间：2025-03-13 16:43:39 市场： 美股 综合
【三星计划2028年推出“移动HBM”】 金十数据2月19日讯，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。
时间：2025-02-19 13:37:57 市场： 美股 综合
【东兴证券：电子行业迎来新的发展阶段 看好HBM方向】 金十数据12月18日讯，东兴证券研报指出，当前硬件创新周期叠加AI浪潮，电子行业迎来新的发展阶段。AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升使得AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出更高要求，HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈。TrendForce集邦咨询预估2025年HBM将贡献10%的DRAM总产出，较2024年增长一倍。由于HBM平均单价高，估计对DRAM产业总产值的贡献度有望突破30%。预计到2029年，HBM市场规模将增长至79.5亿美元。
时间：2024-12-18 13:54:21 市场： 美股 综合
【TrendForce：服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%】 金十数据11月26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。
时间：2024-11-26 13:51:22 市场： 综合 美股
【北京君正：预计DRAM21nm的今年年底会推出】 金十数据11月13日讯，北京君正近日在接受调研时表示，DRAM工艺上，21nm和20nm都有在研，预计21nm的今年年底会推出，20nm预计将于明年中前后推出，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。
时间：2024-11-13 16:20:00 市场： 美股 综合
SK海力士：第三季DRAM平均售价较第二季上涨15%左右。
时间：2024-10-24 07:00:01 市场： 美股 综合