MULL

【瑞银：预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%】 瑞银预测，HBM4 架构将成为主流内存标准，预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%，高于 2026 年预估的 17%。随着新一代 AI 加速器陆续落地，HBM3E 12‑Hi 的市场占比将从 2026 年预期的 65% 收缩至 2027 年的 30%。本轮技术迭代带动先进封装、定制化逻辑基片进入量产，推升晶圆厂的实际成交价格。瑞银测算，HBM3E 8‑Hi 的需求占比将从 2026 年的 8% 回升至 2027 年的 17%；新一代 HBM4E 将拿到 9% 份额，老款 HBM3 则萎缩至 5%。英伟达 VR300 加速器采用 8‑Hi 堆叠方案，体现行业选择性降低显存堆叠规格的现象。主要执行风险来自晶圆厂的基片制造与基板良率；一旦出现产能瓶颈，会阻滞 HBM4 的落地进程，同时造成旧款 HBM3E 产能过剩。

时间：2026-10-18 09:03:17 市场： 综合

关联： DRAM MULL HBMX DRMY DISK

根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度，长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。在四个季度内（2025年第一季度至2026年第一季度），长江存储的全球NAND营收份额增长超过五成（从9%升至14%），其营收同比增幅最高达478%。

时间：2026-10-15 11:51:04 市场： 综合

关联： DRMY MUD MULL DRAM DRMP

【深圳华强：存储芯片供给紧张、需求旺盛格局目前没有发生变化】 深圳华强10月13日在互动平台表示，当前存储市场整体处于AI算力建设驱动的高景气周期。在AI算力基建释放海量增量需求并强力“虹吸”先进产能的双重作用下，存储芯片供给持续紧张，价格持续上涨。上半年价格涨幅巨大，下半年价格涨幅预计会收敛，但存储芯片供给紧张、需求旺盛的格局目前没有发生变化。

时间：2026-10-13 12:14:41 市场： 综合

关联： MULL MUD MUZ MIC MUG

【三星电子正在研发三种类型的 z-NAND闪存】 业内人士12日透露，三星电子正在拓展其下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围，初步研发三种类型的 z-NAND闪存，除了最近发布的z-NAND-O之外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I。三星电子去年8月在美国举办的一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O的样机。

时间：2026-10-12 14:17:48 市场： 美股 综合

关联： MULL SSNLF MUG MIC MUD

【美光财报点燃AI交易，日本芯片股集体大涨】 美光科技公布强于预期的财报和业绩指引后，日本半导体板块周四大幅上涨。市场将美光的强劲表现视为AI数据中心需求依然旺盛的又一信号，并迅速把这一预期扩散至芯片测试、制造设备、存储及电子元件等相关公司。截至北京时间14:00，日经225指数涨3.18%，报68877.28点。半导体及AI相关个股领涨，其中Lasertec涨11.09%，Advantest涨8.32%，太阳诱电涨8.05%，村田制作所涨8.2%，东京电子涨6.05%，铠侠涨5.33%，Rohm涨约3.36%。

时间：2026-10-01 14:16:43 市场： 综合

关联： MU MULL TTXU FXL BAI

【美光高管：有意义的新增内存供应2028年才开始爬坡 目前仍看不到供需平衡点】 美光科技高管Sadana预计，真正有意义的新增内存供应要到2028年才会开始爬坡，目前仍看不到供需平衡点。他进一步表示，长期供货协议、联合研发以及端侧AI和机器人需求，有望持续重塑存储行业的商业模式。

时间：2026-09-16 19:27:56 市场： 美股 综合

关联： MU MUYY FAI MULL MIC

据快科技，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年，此前这一差距长期维持在5年左右。 NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。 DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。 HBM是差距最大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。

时间：2026-09-16 11:58:37 市场： 综合

关联： DISK DRAM KRWX MULL MUD

【戴尔大幅上调全年业绩指引，DRAM和NAND依然紧缺】 戴尔管理层在最新财报电话会议上表示，企业正加快数据中心现代化改造，AI尤其是智能体工作负载正在形成新的基础设施需求。基于当前订单和需求，公司将2027财年全年营收指引中值由1670亿美元上调至1920亿美元，AI优化服务器全年营收预期由600亿美元上调至740亿美元。在被问及当前最主要的供应限制时，戴尔副董事长兼首席运营官杰夫·克拉克称：“限制因素依然如旧，就是DRAM、DRAM、DRAM，其次是NAND、NAND、NAND。”

时间：2026-09-02 15:01:18 市场： 综合

关联： DISK DRMP MULL MUD DRAM

【铠侠拟投资超1万亿日元在日本新建NAND闪存工厂】 据报道，铠侠控股将投资超1万亿日元在日本岩手县新建制造工厂，用于量产NAND闪存。预计铠侠将于8月27日宣布建设计划。

时间：2026-08-27 07:59:26 市场： 综合

关联： MULL MIC MUG MUYY MUZ

美光科技（Micron Technology）宣布重大人事调整——Manish Bhatia将升任公司总裁兼首席运营官（COO），而Scott Deboer则被任命为总裁兼首席技术与产品官。这一高管架构的重新布局，标志着这家半导体巨头在战略管理层面正迈入新的发展阶段。

时间：2026-08-26 20:07:41 市场： 美股 综合

关联： CHPX MULL EMSF SHOC AIQ