MUD
【美股异动 | 存储芯片概念股普涨 闪迪(SNDK.US)涨逾5%】 智通财经APP获悉,周一,存储芯片概念股普涨,闪迪(SNDK.US)、西部数据(WDC.US)涨逾5%,希捷科技(STX.US)涨逾4%,美光科技(MU.US)、SK海力士(SKHY.US)涨逾3%。
时间:2026-10-19 21:46:59 市场: 综合
【中信证券:建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会】 中信证券研报称,近期全球存储芯片股价波动加剧,10月份以来表现显著弱于其他板块,除了宏观因素的扰动外,产业界对于长鑫科技4F²技术的进展亦变得更为关注。主要原因是市场担心:中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局,海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑会被动摇。从产业进展来看,目前DRAM的技术仍以6F²单元结构为主,4F²技术的落地需看三星电子和长鑫科技的进展。目前来看,4F²技术仍处于早期验证阶段,后续仍需观察公司在这领域的良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等各个指标,对于中短期存储产业的影响相对较小。建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
时间:2026-10-16 08:10:25 市场: 综合
根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测,2026年第二季度,长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三,仅次于三星电子和SK海力士,超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算,长江存储的排名将进一步提升至第二位。在四个季度内(2025年第一季度至2026年第一季度),长江存储的全球NAND营收份额增长超过五成(从9%升至14%),其营收同比增幅最高达478%。
时间:2026-10-15 11:51:04 市场: 综合
【深圳华强:存储芯片供给紧张、需求旺盛格局目前没有发生变化】 深圳华强10月13日在互动平台表示,当前存储市场整体处于AI算力建设驱动的高景气周期。在AI算力基建释放海量增量需求并强力“虹吸”先进产能的双重作用下,存储芯片供给持续紧张,价格持续上涨。上半年价格涨幅巨大,下半年价格涨幅预计会收敛,但存储芯片供给紧张、需求旺盛的格局目前没有发生变化。
时间:2026-10-13 12:14:41 市场: 综合
【三星电子正在研发三种类型的 z-NAND闪存】 业内人士12日透露,三星电子正在拓展其下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围,初步研发三种类型的 z-NAND闪存,除了最近发布的z-NAND-O之外,还包括z-NAND-T和z-NAND-I。三星电子去年8月在美国举办的一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O的样机。
时间:2026-10-12 14:17:48 市场: 美股 综合
【存储芯片红利消退 千亿美元外资加速撤离韩股】 韩国今年很长一段时间都是全球火热人工智能交易行情的标杆。而如今,无论从哪项指标来看,这个总规模4.3万亿美元的股票市场正在快速失去投资者的关注。 市场成交额较5月末峰值暴跌70%,外资正以亚洲最快速度撤离,本土散户投资者也在退出。韩国综合股价指数上半年曾是全球表现最好的主要股指,此后累计下跌22%,成为下半年表现最差的主要股指;而同样重仓AI板块的美国股市股指则不断创新高。 行情反转背后,韩国股市的AI红利高度依赖三星电子与SK海力士这两大存储芯片巨头,二者处于全球AI供应链的核心位置。这种高度集中的特性如今成为短板:投资者开始质疑存储芯片繁荣周期能否持续,叠加今夏由高杠杆引发的剧烈抛售,不少全球基金对重返韩国市场持谨慎态度。 这两家芯片企业合计占韩国综合股价指数权重一半以上,是今年早些时候拉动指数上涨的主力。交易所数据显示,今年外资从韩国股市撤出1310亿美元,在亚洲主要市场中规模最高。
时间:2026-10-11 08:07:03 市场: 综合
【长鑫技术新突破:4F²架构产品预计年底亮相】 记者获悉,长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲,全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累,并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
时间:2026-10-10 19:04:58 市场: 综合
【机构:成本压力转向需求端,2027年笔记本市场或面临出货、价格双重影响】 根据TrendForce集邦咨询最新笔记本产业研究,2027年笔记本市场的主要风险将由供应限制转向成本上升对需求的影响。TrendForce集邦咨询目前预期2027年全球笔记本出货量将呈低个位数衰退,但若DRAM与CPU价格维持高位,品牌被迫扩大成本转嫁,导致终端售价上涨,可能进一步延长消费者换机周期,全年出货衰退幅度不排除加剧至高个位数。2026年由于CPU供给改善、品牌提前采购及部分换机需求提前释放,支撑笔记本市场出货,但不代表终端需求实质复苏。随着部分原先预期于下半年及后续释出的需求提前反映,后续市场换机动能将受到压缩,加上低成本库存逐步消化,品牌将更直接面对CPU、DRAM与SSD价格上升的压力。
时间:2026-10-08 15:07:18 市场: 综合
【传DRAM大厂计划再度涨价,涨幅最高达20%】 据报道,中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户,将再度上调DRAM合约价格,最高涨幅可达20%。针对再度涨价的市场传闻,南亚科方面表示,针对客户报价相关事宜,不予置评。业内人士认为,随着南亚科启动新一轮合约价上调,涨价效应将逐步传导落地,有望抬升公司平均售价,改善盈利水平,推动整体经营持续向好。
时间:2026-10-07 09:36:33 市场: 综合
【恒坤新材:旋涂介电材料处于研发、产业化准备阶段 TEOS产能利用率超50%】 在今日举行的恒坤新材2026年上半年业绩会上,该公司在介绍前驱体材料TEOS产能利用率时表示,公司TEOS目前产能利用率为50%以上。其曾在半年报中新增提出“旋涂介电材料”作为第三大产品矩阵。最新进展方面,其表示,“旋涂介电材料系DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠3D NAND存储芯片制造所需核心材料,目前处于研发、产业化准备阶段。”
时间:2026-09-30 18:56:57 市场: 综合
同步财经

