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【美股异动 | 存储芯片概念股普涨 闪迪(SNDK.US)涨逾5%】 智通财经APP获悉，周一，存储芯片概念股普涨，闪迪(SNDK.US)、西部数据(WDC.US)涨逾5%，希捷科技(STX.US)涨逾4%，美光科技(MU.US)、SK海力士(SKHY.US)涨逾3%。

时间：2026-10-19 21:46:59 市场： 综合

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【瑞银：预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%】 瑞银预测，HBM4 架构将成为主流内存标准，预计 2027 年其占全球 HBM 总需求比重将达到 39%，高于 2026 年预估的 17%。随着新一代 AI 加速器陆续落地，HBM3E 12‑Hi 的市场占比将从 2026 年预期的 65% 收缩至 2027 年的 30%。本轮技术迭代带动先进封装、定制化逻辑基片进入量产，推升晶圆厂的实际成交价格。瑞银测算，HBM3E 8‑Hi 的需求占比将从 2026 年的 8% 回升至 2027 年的 17%；新一代 HBM4E 将拿到 9% 份额，老款 HBM3 则萎缩至 5%。英伟达 VR300 加速器采用 8‑Hi 堆叠方案，体现行业选择性降低显存堆叠规格的现象。主要执行风险来自晶圆厂的基片制造与基板良率；一旦出现产能瓶颈，会阻滞 HBM4 的落地进程，同时造成旧款 HBM3E 产能过剩。

时间：2026-10-18 09:03:17 市场： 综合

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【中信证券：建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会】 中信证券研报称，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，除了宏观因素的扰动外，产业界对于长鑫科技4F²技术的进展亦变得更为关注。主要原因是市场担心：中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑会被动摇。从产业进展来看，目前DRAM的技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术的落地需看三星电子和长鑫科技的进展。目前来看，4F²技术仍处于早期验证阶段，后续仍需观察公司在这领域的良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等各个指标，对于中短期存储产业的影响相对较小。建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。

时间：2026-10-16 08:10:25 市场： 综合

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根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度，长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。在四个季度内（2025年第一季度至2026年第一季度），长江存储的全球NAND营收份额增长超过五成（从9%升至14%），其营收同比增幅最高达478%。

时间：2026-10-15 11:51:04 市场： 综合

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【长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相】 记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

时间：2026-10-10 19:04:58 市场： 综合

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【机构：成本压力转向需求端，2027年笔记本市场或面临出货、价格双重影响】 根据TrendForce集邦咨询最新笔记本产业研究，2027年笔记本市场的主要风险将由供应限制转向成本上升对需求的影响。TrendForce集邦咨询目前预期2027年全球笔记本出货量将呈低个位数衰退，但若DRAM与CPU价格维持高位，品牌被迫扩大成本转嫁，导致终端售价上涨，可能进一步延长消费者换机周期，全年出货衰退幅度不排除加剧至高个位数。2026年由于CPU供给改善、品牌提前采购及部分换机需求提前释放，支撑笔记本市场出货，但不代表终端需求实质复苏。随着部分原先预期于下半年及后续释出的需求提前反映，后续市场换机动能将受到压缩，加上低成本库存逐步消化，品牌将更直接面对CPU、DRAM与SSD价格上升的压力。

时间：2026-10-08 15:07:18 市场： 综合

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【传DRAM大厂计划再度涨价，涨幅最高达20%】 据报道，中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再度上调DRAM合约价格，最高涨幅可达20%。针对再度涨价的市场传闻，南亚科方面表示，针对客户报价相关事宜，不予置评。业内人士认为，随着南亚科启动新一轮合约价上调，涨价效应将逐步传导落地，有望抬升公司平均售价，改善盈利水平，推动整体经营持续向好。

时间：2026-10-07 09:36:33 市场： 综合

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【恒坤新材：旋涂介电材料处于研发、产业化准备阶段 TEOS产能利用率超50%】 在今日举行的恒坤新材2026年上半年业绩会上，该公司在介绍前驱体材料TEOS产能利用率时表示，公司TEOS目前产能利用率为50%以上。其曾在半年报中新增提出“旋涂介电材料”作为第三大产品矩阵。最新进展方面，其表示，“旋涂介电材料系DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠3D NAND存储芯片制造所需核心材料，目前处于研发、产业化准备阶段。”

时间：2026-09-30 18:56:57 市场： 综合

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【江波龙：存储产业供需关系仍将维持偏紧态势】 9月28日，江波龙发布投资者关系活动记录表。关于存储价格未来变化趋势，公司表示，结合第三方机构公布的信息来看，AI在云端和端侧落地，是较为明确的产业趋势，并将带来巨大的存储需求增量；受过往周期影响，海外原厂仍维持相对审慎的NAND资本开支计划，更多通过技术升级实现相对温和的NAND供给增长，因此存储产业供需关系仍将维持偏紧态势。

时间：2026-09-29 19:36:12 市场： 综合

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【力积存储：消费级DRAM和工业级DRAM订单持续上涨 价格随行就市】 力积存储消费级DRAM和工业级DRAM目前订单需求持续上涨供不应求，价格随行业需求浮动变化。此外，力积存储正在研发高带宽AI存算用存储芯片，并提供AI存算用一体解决方案。其中AI存算用高宽带WOW 3D堆叠产品已具备产品销售能力。

时间：2026-09-23 18:38:54 市场： 综合

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