RAM

Saxo Markets首席投资策略师Charu Chanana表示，市场已不再将存储芯片的强劲表现视为整个AI投资主题的天然利好。它固然印证了AI基础设施需求依然旺盛，但同时也推高了建设和使用AI的成本。

时间：2026-06-26 20:14:36 市场： 综合

关联： AIPO ARTY FTXL DRAM RAM

韩国KOSPI指数持续下挫，跌幅扩大至8%。SK海力士跌超9%，三星电子跌近9%。

时间：2026-06-26 11:07:54 市场： 综合

关联： RAM KORU MKOR FLKR EDZ

海力士股价下跌2.0%，报285.8万韩元。

时间：2026-06-26 08:13:25 市场： 综合

关联： DRAM EMXC RAM

【汇丰：SK海力士的美国上市计划被视为利好】 汇丰分析师Ricky Seo和Han Kil Chang表示，SK海力士计划中的美国存托凭证上市可能会获得20%的溢价，他们认为此举是利好。他们在一份报告中写道，受不断上涨的存储芯片价格和飙升的NAND闪存利润率支撑，这家韩国半导体公司也料将交出又一个强劲的财季业绩。汇丰的分析师重申对该股的买入评级，该股现在是汇丰覆盖的全球存储企业中的首选。其目标价上调38%，至400万韩元。该股大涨13%，收于291.7万韩元。

时间：2026-06-25 18:46:46 市场： 综合 美股

关联： RAM HSBC EDZ EEMO IPOS

【三星首证HBM封装新技术优势：混合铜键合破解“高积热”难题】 随着AI大模型参数量的不断膨胀，业界对HBM的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而，芯片越堆越高，随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日，三星电子用一项重磅研究给出了破局方案：其研究团队首次通过量化数据证实，在下一代HBM封装中采用的混合铜键合技术，在热管理上全面优于传统的热压接合。

时间：2026-06-25 16:59:20 市场： 综合

关联： DRAM EMXC RAM

三星电子就传闻及媒体报道作出回应：相关事宜尚未确定。

时间：2026-06-25 15:59:10 市场： 美股 综合

关联： DRAM IEMG EEMO EDZ WTAI

存储芯片概念持续走强，北京君正“20cm”涨停，中微半导、太极实业此前涨停，佰维存储、华新科技涨超10%。

时间：2026-06-25 13:19:44 市场： 综合

关联： FTXL DRAM

A股开盘，三大指数涨跌不一，沪指跌0.18%报4103.48点，深证成指涨0.3%，创业板指涨0.63%。盘面上，美光史诗级财报验证AI存储高景气，刺激存储芯片板块上涨；贵金属、工业金属、油气开采及服务板块低开。

时间：2026-06-25 09:29:52 市场： 综合

关联： FTXL DRAM 09747 399001 159982

【曼恩斯特：目前公司产品暂不涉及HBM存储芯片封装、CPO光模块应用】 有投资者提问称，公司的涂布技术是否适用于HBM存储芯片封装、CPO光模块等当前AI产业链的热点领域，是否有相关的技术储备或客户接触？6月25日，曼恩斯特在互动平台表示，目前公司产品暂不涉及上述应用，请注意投资风险。

时间：2026-06-25 08:55:24 市场： 综合

关联： FTXL DRAM

【SK海力士考虑加码清州NAND闪存工厂投资】 据韩国《每日经济新闻》援引不愿具名业内人士消息，SK海力士正计划在韩国清州新建一座NAND闪存工厂，该地区整体投资方案预计将于6月29日在总统府相关会议上对外公布。海力士此项规划核心是追加对清州NAND闪存厂区的投资，该企业曾于2018年在此建成M15工厂。 此外，三星电子目前在其位于韩国Cheonan 和 Onyang的封装设施中生产HBM等先进芯片。

时间：2026-06-25 08:12:38 市场： 综合

关联： EEMO DRAM EDZ