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据快科技，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年，此前这一差距长期维持在5年左右。 NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。 DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。 HBM是差距最大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。

时间：2026-09-16 11:58:37 市场： 综合

关联： DISK DRAM KRWX MULL MUD

韩国央行会议纪要：另一位委员表示，在评估借贷成本上升对企业的影响后，有必要就未来的加息问题做出决定。

时间：2026-09-15 15:05:14 市场： 综合

关联： FLKR EWY KDEF KRWX MKOR

日经225指数上午开盘报63659.53点，跌幅0.55%。韩国综合股价指数（KOSPI）开盘下跌3.1%，至6692.61点。

时间：2026-09-14 08:01:59 市场： 综合

关联： EZJ KRWX

韩国综合股价指数下跌1%，至6978.22。

时间：2026-09-10 08:41:11 市场： 综合

关联： KRWX

韩国综合股价指数开盘下跌0.2%，至7038.85点。

时间：2026-09-10 08:00:38 市场： 综合

关联： KRWX

韩国综合股价指数上涨4%，至6956.73。

时间：2026-09-07 12:29:32 市场： 综合

关联： KRWX

【韩国央行：二季度企业贷款扩张步伐小幅放缓】 韩国央行周一公布数据显示，受制造业贷款需求回落影响，韩国二季度企业贷款环比增速较一季度有所回落。韩国央行数据显示，截至6月末，韩国本土企业贷款余额达2065.3万亿韩元，较三个月前增加30.6万亿韩元。一季度企业贷款环比增加30.8万亿韩元，二季度增幅略有收窄。 分行业来看，制造业企业贷款较一季度增加8.4万亿韩元，余额达到521.5万亿韩元；一季度制造业贷款环比增幅为11万亿韩元，二季度增速有所回落。

时间：2026-09-07 11:06:43 市场： 综合

关联： CLOZ KORU FLKR KDEF KRWX

【韩国出口额突破全年历史纪录 今年迄今达7094亿美元】 韩国海关署周六公布，受全球对人工智能芯片需求旺盛拉动，韩国今年迄今出口规模达到7094亿美元，已超越去年全年的历史纪录。具体来看，今年1‑8月，半导体出口额达2810亿美元，同比大增169.6%，占韩国总出口的41%。全球头部存储芯片厂商三星电子与SK海力士均位于韩国。受人工智能投资热潮加剧芯片供给短缺影响，芯片价格大幅上涨，两家企业从中获益。韩国第二大出口商品乘用车，1‑8月海外出货量同比下滑4%。

时间：2026-09-05 14:50:09 市场： 综合

关联： KMCA SCHE EET KRWX

韩国央行表示，得益于三星电子和SK海力士积极扩建国内生产设施，韩国在存储芯片产能方面的领先优势预计将进一步扩大。韩国央行预计到2028年投产的新芯片工厂将使韩国每月晶圆产能增加约60万片。

时间：2026-09-04 14:35:14 市场： 综合

关联： EWY FLKR MKOR KRWX KDEF

韩国综合股价指数开盘上涨1.3%，至6650.33点。

时间：2026-09-03 08:00:40 市场： 综合

关联： KRWX